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MDPmap單晶和多晶矽片壽命測量儀被設計成一個緊湊的台式非接觸電學表征工具，用於離線生產控製或研發，在穩態或短脈衝激勵（μ-PCD）下，在一個寬的注入範圍內測量參數，如載流子壽命、光導率、電阻率和缺陷信息。自動化的樣品識別和參數設置允許輕鬆適應各種不同的樣品，包括外延層和經過不同製備階段的晶圓，從原生晶圓到高達95%的金屬化晶圓。